RJP63F3DPP-M0 даташиты PDF

Номер в каталоге : RJP63F3DPP-M0

функция : Silicon N Channel IGBT / High Speed Power Switching

Производитель : Renesas Electronics

цоколевка :
RJP63F3DPP-M0 datasheet

Описание :

•  Trench gate and thin wafer technology (G6H series)

•  Low collector to emitter saturation voltage  VCE(sat)= 1.7 V typ

•  High speed switching tf = 100 ns typ

•  Low leak current  ICES= 1 μA max

•  Isolated package TO-220FL

даташит PDF Download

RJP63F3DPP-M0 pdf

Другие с той же файл данные : RJP63F, RJP63F3, RJP63F3DPP-M0