RJP6065DPM Даташит

Номер в каталоге : RJP6065DPM

Function : Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching / TO-3PFM Package

Производитель : Renesas Electronics

цоколевка :

RJP6065DPM datasheet

Описание :

* Low collector to emitter saturation voltage
   VCE(sat)= 1.8 V typ. (IC= 40 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)

* Gate to emitter voltage rating 30 V

* Pb-free lead plating and chip bonding

даташит PDF Download

RJP6065DPM pdf

Другие с той же файл данные :