RJP30K3DPP-M0 даташиты PDF

Номер в каталоге : RJP30K3DPP-M0

Function : Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Производитель : Renesas Electronics

цоколевка :

RJP30K3DPP-M0 datasheet

Описание :

Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series),
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.1V typ, High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ, Low leak current ICES= 1 A max, Isolated package TO-220FL

даташит PDF Download

RJP30K3DPP-M0 pdf

Другие с той же файл данные :
RJP30,RJP30K3DPP-M0