RJP30H1DPP-M0 Даташит

Номер в каталоге : RJP30H1DPP-M0

Function : Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Производитель : Renesas Electronics

цоколевка :

RJP30H1DPP-M0 datasheet

Описание :

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

*  High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.

*  Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

*  Low leak current: ICES= 1 A max.

*  Isolated package  TO-220FL

даташит PDF Download

RJP30H1DPP-M0 pdf

Другие с той же файл данные :