RJP30H1DPD Даташит

Номер в каталоге : RJP30H1DPD

Function : N-Channel Power MOSFET / TO-263

Производитель : Renesas Electronics

цоколевка :

RJP30H1DPD datasheet

Описание :

* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

* High speed switching: tr = 80 ns typ., tf = 150 ns typ.

* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

* Low leak current: ICES= 1 A max.

 

даташит PDF Download

RJP30H1DPD pdf

Другие с той же файл данные :
RJP30H1DPD