RJH60F5DPQ Даташит

Номер в каталоге : RJH60F5DPQ
функция : Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Производитель : Renesas Electronics

цоколевка :
RJH60F5DPQ datasheet

Описание :

600V / 40A / IGBT

 

* Low collector to emitter saturation voltage
   VCE(sat)= 1.37 V typ. (IC= 40 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
*  Built in fast recovery diode in one package
*  Trench gate and thin wafer technology
*  High speed switching tr= 85 ns typ.

(at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)

даташит PDF Download

RJH60F5DPQ pdf

Другие с той же файл данные : RJH60F5,RJH60F5DPQ,RJH60F5DPQ-A0