K3567 даташиты PDF

Номер в каталоге : K3567

Function : Silicon N Channel MOS Type / TOSHIBA Field Effect Transistor

Производитель : Toshiba

цоколевка :

K3567 datasheet

Описание :

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON)= 1.7 Ω(typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS= 100 μA (max) (VDS= 600 V)

• Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

даташит PDF Download

K3567 pdf

Другие с той же файл данные :
2SK3567,K3567