K10A60D даташиты PDF

Номер в каталоге : K10A60D

функция : TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type / Switching Regulator Applications

Производитель : Toshiba

цоколевка :
K10A60D datasheet

Описание :

• Low drain-source ON-resistance: RDS (ON)= 0.58 Ω(typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS= 10 μA(max)(VDS= 600 V)

• Enhancement mode: Vth= 2.0 to 4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)

 

даташит PDF Download

K10A60D pdf

Другие с той же файл данные : K10A60 ,K10A60D, TK10A60D